| GaN基紫外探测器的研究与制备 |
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| 引用本文： | 杨辉,赵德刚,张书明,朱建军,冯志宏,段俐宏,刘素英. GaN基紫外探测器的研究与制备[J]. 发光学报, 2001, 22(Z1): 87-90 |
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| 作者姓名： | 杨辉 赵德刚 张书明 朱建军 冯志宏 段俐宏 刘素英 |
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| 作者单位： | 中国科学院 |
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| 摘 要： | 报道了用MOCVD方法在GaAs衬底上制作p-GaN/InGaN/n-GaN结构紫外探测器.我们对器件进行了测试分析.根据器件光伏信号强度和相位的测量结果,我们得到了该器件的能带结构图.我们还发现Ni/Au电极与p-GaN之间的接触表现出肖特基接触的特性.该探测器在入射光波长为375nm处的响应度大约为7.4×10-3A/W.
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| 关 键 词： | GaN 紫外探测器 MOCVD |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)增-0087-04 |
| 修稿时间： | 2001-03-17 |
GaN-based Ultraviolet Photodetectors Fabricated by Metalorganic Chemical Vapor Deposition |
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