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应用遗传算法实现MOS器件综合
引用本文:谢晓锋,李钊,阮骏,姚依,张文俊,杨之廉.应用遗传算法实现MOS器件综合[J].半导体学报,2002,23(1):95-101.
作者姓名:谢晓锋  李钊  阮骏  姚依  张文俊  杨之廉
作者单位:清华大学微电子学研究所,北京,100084
摘    要:研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响.对FIBMOS器件的综合设计研究结果显示了本方法的有效性.

关 键 词:器件综合  器件参数化表示  遗传算法
文章编号:0253-4177(2002)01-0095-07

Realization of Device Synthesis Using Genetic Algorithms
Xie Xiaofeng,Li Zhao,Ruan Jun,Yao Yi,Zhang Wenjun and Yang Zhilian.Realization of Device Synthesis Using Genetic Algorithms[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(1):95-101.
Authors:Xie Xiaofeng  Li Zhao  Ruan Jun  Yao Yi  Zhang Wenjun and Yang Zhilian
Abstract:The method to applying genetic algorithms for device synthesis is studied,by design corresponding the fitness functions and genetic operators for parameterized design space.It can be used to find the feasible design space and study the effects of device parameters on characteristics.The results of the experiments on FIBMOS devices show that the methodology is efficient to deal with device synthesis.
Keywords:device synthesis  parameterized device representation  genetic algorithms
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