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非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究
引用本文:张明,于文,张君,张远仪,王文魁. 非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究[J]. 物理学报, 1996, 45(10): 1724-1728
作者姓名:张明  于文  张君  张远仪  王文魁
作者单位:(1)中国科学院物理研究所; (2)中国科学院物理研究所;中国科学院国际材料物理中心
摘    要:利用原位X射线衍射技术得到非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散系数与退火温度的关系,调制周期L=3.2nm的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的.温度范围为423—523K的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到.利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系.建立了可以解释较小前置系数的模型关键词

关 键 词:铌/硅 互扩散 多层 薄膜 非晶调制
收稿时间:1995-08-09

STUDY THE INTERDIFFUSION IN AMORPHOUS Nb/Si MULTILAYER
ZHANG MING,YU WEN,ZHANG JUN,ZHANG YUAN-YI and WNAG WEN-KUI. STUDY THE INTERDIFFUSION IN AMORPHOUS Nb/Si MULTILAYER[J]. Acta Physica Sinica, 1996, 45(10): 1724-1728
Authors:ZHANG MING  YU WEN  ZHANG JUN  ZHANG YUAN-YI  WNAG WEN-KUI
Abstract:The amorphous Nb/Si multilayers were prepared for the interdiffusion study. The temperature dependent effective interdiffusion at low temperature in amorphous Nb/Si multilayer was obtained using in-situ XRD technique. The smaller pre-exponential factor for diffusion coefficient in amorphous Nb/Si multilayer is explained by the trap-retarded diffusion mechanism. In this model, the atomic vibration frequency v is substituted by the average characteristic atomic vibration frequency v because of the presence of defect traps.
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