| 多孔硅成核的电化学研究 |
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| 引用本文： | 李志全,乔淑欣,张乐欣,蔡亚楠,阎利娟. 多孔硅成核的电化学研究[J]. 化学通报, 2006, 69(2): 136-139 |
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| 作者姓名： | 李志全 乔淑欣 张乐欣 蔡亚楠 阎利娟 |
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| 作者单位： | 燕山大学仪器科学与工程系,秦皇岛,066004;燕山大学材料科学与工程学院亚稳材料制备与科学国家重点实验室,秦皇岛,066004 |
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| 摘 要： | 将p型单晶硅在HF溶液中进行阳极电化学腐蚀制备出孔隙率约为30%~85%、直径为2~30nm不等的多孔硅,用原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌。采用电化学工作站(CHI660A)监测p型硅电极在不同浓度HF溶液中的电流-电压特性,记录恒电流情况下硅电极的电压变化。这些曲线可从精确反映多孔硅形成的早期成核过程。将这些电化学特性曲线在同一坐标轴下显示,得出多孔硅的电化学成核机理。
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| 关 键 词： | 多孔硅 原子力显微镜 电流-电压特性 恒电流分析 成核机理 |
| 收稿时间： | 2005-04-26 |
| 修稿时间： | 2005-04-262005-09-05 |
Studies on Electrochemical Nucleation Processes of Porous Silicon |
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| Li Zhiquan,Qiao Shuxin,Zhang Lexin,Cai Yanan,Yan Lijuan. Studies on Electrochemical Nucleation Processes of Porous Silicon[J]. Chemistry, 2006, 69(2): 136-139 |
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| Authors: | Li Zhiquan Qiao Shuxin Zhang Lexin Cai Yanan Yan Lijuan |
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| Affiliation: | College of Electrical Engineering, State Key Laboratory on Semi-stable Materials Fabrication Techniques and Science in College of Materials Science and Engineering, Yanshan UniverSity Qinhuangdao 066004 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Porous silicon AFM I-V characterization Galvanostatic analysis Electrochemical nucleation regularities |
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