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| 欠叠异质栅纳米碳管场效应管的量子输运特性（英文） | |
| 作者姓名： | 王伟 张露 李娜 杨晓 张婷 岳工舒 |
| 作者单位： | 南京邮电大学电子科学与工程学院 |
| 基金项目： | Supported by Natural Science Foundation of Higher Education in Jiangsu Province(10KJD510006) |
| 摘 要： | 采用量子力学模型,对欠叠栅对传统单质栅碳纳米管场效应管(简称C-CNTFET)和异质栅碳纳米管场效应管(简称HMG-CNTFET)电学特性的影响进行理论研究,该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)泊松方程自洽求解.仿真结果表明,C-CNTFET的截止频率可高达THz量级,另外,通过比较C-和HMG-CNTFET可以看出,CCNTFET增加欠叠栅后能够提高器件的开关速度,但不利于提高器件的开关电流比.在HMG-CNTFET中,欠叠栅的采用不仅能够同时改善亚阈值特性和开关电流比,还能降低输出电导. |
| 关 键 词： | 碳纳米管场效应管 非平衡格林函数 欠叠栅 短沟道效应 异质栅 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |