| Ar对微波等离子体CVD单晶金刚石生长的影响 |
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| 引用本文： | 林晓棋,满卫东,吕继磊,张玮,江南. Ar对微波等离子体CVD单晶金刚石生长的影响[J]. 人工晶体学报, 2015, 44(2): 337-341 |
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| 作者姓名： | 林晓棋 满卫东 吕继磊 张玮 江南 |
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| 作者单位： | 武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430073;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波315201;武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉,430073;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,宁波,315201 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11175137) |
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| 摘 要： | 采用自主研发的5 kW不锈钢谐振腔式MPCVD设备,在Ar/H2/CH4气氛下,保持总气压与CH4气流量不变,研究了不同Ar/H2比例对单晶金刚石生长速度和晶体质量的影响.通过拉曼光谱与高分辨率XRD摇摆曲线,从生长速度与生长质量两点对所得样品进行分析.结果表明,适量Ar的存在能够显著提高单晶金刚石的生长速度,并且不损害金刚石的晶体质量.当Ar/H2=30;时,生长速度最高,为35 μm/h.随着Ar/H2比例的进一步增加,单晶金刚石的结晶质量会有所下降,Ar/H2比例过高则会严重破坏单晶金刚石的生长.
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| 关 键 词： | MPCVD 单晶金刚石 Ar, |
Effect of Argon Addition on Single Crystal Diamond Synthesized by Microwave Plasma CVD |
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| LIN Xiao-qi;MAN Wei-dong;LV Ji-lei;ZHANG Wei;JIANG Nan. Effect of Argon Addition on Single Crystal Diamond Synthesized by Microwave Plasma CVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2015, 44(2): 337-341 |
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| Authors: | LIN Xiao-qi MAN Wei-dong LV Ji-lei ZHANG Wei JIANG Nan |
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| Affiliation: | LIN Xiao-qi;MAN Wei-dong;LV Ji-lei;ZHANG Wei;JIANG Nan;Hubei Province Key Laboratory of Plasma Chemistry & Advanced Materials,Wuhan Institute of Technology;Ningbo Institute of Materials Technology & Engineering,Chinese Academy of Sciences; |
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| Abstract: | |
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