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高功率Nd∶YVO4/KTP腔内倍频晶体温度分布的半解析热分析
作者姓名:李隆  史彭  白晋涛  白杨  马红玉  侯洵
作者单位:西北大学,光子学与光子技术研究所,西安,710069;西安交通大学,电子与信息工程学院,西安,710049;西安建筑科技大学,理学院;西北大学,光子学与光子技术研究所,西安,710069
摘    要:非线性晶体KTP采用Ⅱ类相位匹配腔内倍频时,不仅要求晶体满足基频光的偏振匹配条件,而且所选用的晶体要求符合λ/2波片的条件,才能使晶体的谐波转换效率达到最佳.由于倍频晶体吸收基频光能量引起晶体内部非均匀温升,改变晶体内部各点的折射率,也会使晶体产生不应有的热形变,破坏晶体初始的位相匹配条件,严重影响输出激光的品质和倍频效率.减弱、改善这种情况的关键是准确得出在实际工作条件下晶体内部温度场.利用半解析热分析方法得出了KTP晶体内部温度场的计算方法,分析了各种热参量变化对KTP晶体内部温度场的影响.得出的结果具有一定的普适性,可以应用到具有轴对称形式内热源的其它热模型温度场的计算分析中,对连续波腔内倍频激光系统的设计将起到指导作用.

关 键 词:KTP晶体  Ⅱ类相位匹配  Nd∶YVO4激光器  腔内倍频  半解析热分析
文章编号:1002-1582(2004)01-0044-04
修稿时间:2003-06-24
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