| 高密度聚苯胺纳米线阵列的制备及在紫外探测器中的应用研究 |
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| 引用本文： | 俎喜红,张政,蒋雪梅,王欢,罗洪盛,王翠,易国斌.高密度聚苯胺纳米线阵列的制备及在紫外探测器中的应用研究[J].高分子学报,2015(3):312-318. |
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| 作者姓名： | 俎喜红 张政 蒋雪梅 王欢 罗洪盛 王翠 易国斌 |
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| 作者单位： | 广东工业大学轻工化工学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(基金号51273048,51203025);广东省自然科学基金(基金号S2012040007725);广东省高校创新人才培育计划(育苗工程)(项目号2012LYM-0059);广东省绿色化学产品技术重点实验室开放基金(基金号GC20ll03)资助项目 |
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| 摘 要： | 基于p型半导体与n型半导体间的特殊p-n结效应可有效提高紫外探测器的紫外光敏性能,研究了高密度p型聚苯胺(PANI)纳米线阵列的制备方法,及其与n型单晶硅片组装为具有p-n结效应的高性能紫外探测器的方法.采用旋涂煅烧法在单晶硅片表面制备了二氧化锰层,研究了以其为种子层制备高密度聚苯胺纳米线阵列的方法,并考察了不同制备条件对聚苯胺形貌的影响,揭示了聚苯胺纳米线阵列的形成机理.结果表明,利用二氧化锰种子层对溶液中苯胺的氧化作用,可优先在二氧化锰层表面形成聚苯胺纳米粒子,然后再向溶液中加入另一氧化剂过硫酸铵(APS),可使聚苯胺纳米粒子沿垂直于衬底方向进一步生长,从而制得了分布均匀的高密度p型聚苯胺纳米线阵列.利用p型聚苯胺纳米线阵列与n型单晶硅片间特殊的p-n结效应,构筑了性能优良的紫外探测器,对紫外光响应速度快、恢复时间短、稳定性好.当外置偏压为0 V时,光电流可达9.2×10-8A;且随外置偏压提高,光电流强度大大增强,当外置偏压提高至5 V时,光电流可达3.2×10-5A,比0 V时提高了约1000倍.
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| 关 键 词： | 二氧化锰 聚苯胺纳米线 阵列 p-n结 紫外探测器 |
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