| 选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料 |
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| 引用本文： | 刘国利,王圩,张佰君,许国阳,陈娓兮,叶小玲,张静媛,汪孝杰,朱洪亮.选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料[J].半导体学报,2001,22(5):609-612. |
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| 作者姓名： | 刘国利 王圩 张佰君 许国阳 陈娓兮 叶小玲 张静媛 汪孝杰 朱洪亮 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心，北京100083 [2]中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室，北京10 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);863-307-11-1(15); |
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| 摘 要： | 采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) .
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| 关 键 词： | 选择区域生长 LP-MOCVD InGaAsP 多量子阱 EML |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)05-0609-04 |
| 修稿时间： | 2000年4月20日 |
High Quality InGaAsP MQW by Selective Area Growth |
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| LIU Guo-li,WANG Wei,ZHANG Bai-jun,XU Guo-yang,CHEN Wei-xi,YE Xiao-ling,ZHANG Jing-yuan,WANG Xiao-jie and ZHU Hong-liang.High Quality InGaAsP MQW by Selective Area Growth[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(5):609-612. |
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| Authors: | LIU Guo-li WANG Wei ZHANG Bai-jun XU Guo-yang CHEN Wei-xi YE Xiao-ling ZHANG Jing-yuan WANG Xiao-jie and ZHU Hong-liang |
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| Institution: | LIU Guo-li1,WANG Wei1,ZHANG Bai-jun1,XU Guo-yang1,CHEN Wei-xi1,YE Xiao-ling2,ZHANG Jing-yuan1,WANG Xiao-jie1 and ZHU Hong-liang1 |
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| Abstract: | The high quality 755nm wide wavelength range InGaAsP MQW,which is grown on SiO_2 masked InP substrate by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy (LP-MOVPE)is reported.By changing the growth temperature and growth pressure,peaks of MQW PL spectra vary from 1546nm to 1621nm.MQWs grown at different temperatures have the similar PL intensity and FWHM.A single ridge waveguide electroabsorption modulated DFB laser (DFB EML) is also fabricated with high quality MQW materials. |
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| Keywords: | selective area growth LP-MOCVD InGaAsP MQW EML |
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