| 中子辐照对GdBa2Cu3O7-单畴超导性能的影响 |
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| 作者姓名： | 张红 李广 周桃飞 刘勇 李晓光 陈羽 |
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| 作者单位： | 合肥微尺度物质科学国家实验室，中国科学技术大学物理系，合肥 230026,合肥微尺度物质科学国家实验室，中国科学技术大学物理系，合肥 230026,合肥微尺度物质科学国家实验室，中国科学技术大学物理系，合肥 230026,合肥微尺度物质科学国家实验室，中国科学技术大学物理系，合肥 230026,合肥微尺度物质科学国家实验室，中国科学技术大学物理系，合肥 230026,深圳大学核技术研究所，深圳 518060 |
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| 摘 要： | 研究了中子辐照对GdBa2Cu3O7-±单畴超导性能的影响，使用的辐照剂量为1015 n/cm2．通过高分辨电镜观察发现中子辐照产生球形的缺陷和小的点缺陷，这些球形缺陷的尺寸在4?7 nm，与高温超导相干长度相当，并且在退火过程中稳定存在，而小的点缺陷在退火过程中消失．磁测量结果显示中子辐照使样品的超导电性严重退化，临界电流密度下降并且鱼尾峰效应几乎消失．然而对辐照的样品退火处理后，其超导电性明显改善，临界电流密度显著提高并超过了未经辐照的样品，鱼尾峰也向高场移动．这些结果表明中子辐照和退火处理使GdBa2Cu3O7-±单畴样品中引入了有效的磁通钉扎中心(即球型的缺陷)从而导致其临界电流密度大幅提高．
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| 关 键 词： | 中子辐照，超导，临界电流密度 |
| 收稿时间： | 2006-12-31 |
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