| 镁合金抛光机理与CMP工艺研究 |
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| 引用本文： | 陈景 刘玉岭 王晓云 王立发 马振国 武亚红. 镁合金抛光机理与CMP工艺研究[J]. 半导体情报, 2008, 45(2): 114-117,122 |
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| 作者姓名： | 陈景 刘玉岭 王晓云 王立发 马振国 武亚红 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津300130 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（10676008） |
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| 摘 要： | 将化学机械抛光（CMP）技术引入到镁合金片（MB2）的抛光中，打破过去镁合金以单一化学或机械加工为主的加工手段，用自制的抛光液对镁合金片进行抛光实验。结果发现，抛光液中加入双氧水易产生胶体，不利于抛光的进行，因此提出无氧化剂SiO2碱性抛光。同时分析了镁合金的抛光机理，抛光中压力、转速和抛光液流量参数对抛光过程的影响，利用Olympus显微镜对抛光前后镁合金表面进行观察，通过合理控制工艺参数，能够得到较佳的镁合金抛光表面，远优于单一的机械加工，为镁合金抛光工艺和进一步研究抛光液的配比奠定了基础。
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| 关 键 词： | 镁合金（MB2） 化学机械抛光 抛光机理 抛光速率 抛光液 |
| 文章编号： | 1671-4776（2008）02-0114-04 |
| 收稿时间： | 2007-09-27 |
Study of Mg Alloy Polishing Mechanism and CMP Technology |
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| Chen Jing, Liu Yuling, Wang Xiaoyun, Wang Lifa, Ma Zhenguo, Wu Yahong. Study of Mg Alloy Polishing Mechanism and CMP Technology[J]. Semiconductor Information, 2008, 45(2): 114-117,122 |
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| Authors: | Chen Jing Liu Yuling Wang Xiaoyun Wang Lifa Ma Zhenguo Wu Yahong |
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