| LP－MOVPE生长InGaAs应变超晶格 |
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| 引用本文： | 杨树人,刘宝林,陈伯军,刘式墉,崔敬忠,陈光华.LP－MOVPE生长InGaAs应变超晶格[J].吉林大学学报(理学版),1994(1). |
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| 作者姓名： | 杨树人 刘宝林 陈伯军 刘式墉 崔敬忠 陈光华 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子工程系，兰州大学物理系 |
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| 基金项目： | 集成光电子学国家重点联合实验室开放课题 |
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| 摘 要： | 本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。
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| 关 键 词： | LP－MOVPE，InGaAs，应变超晶格 |
InGaAs Strained-layer Superlattice Grown by Low Pressure MOVPE |
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| Yang Shuren,Liu Baolin, Chen Baiyun, Liu Shiyong.InGaAs Strained-layer Superlattice Grown by Low Pressure MOVPE[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1994(1). |
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| Authors: | Yang Shuren Liu Baolin Chen Baiyun Liu Shiyong |
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| Abstract: | The present paper cover the conditions for the growth of InGaAs/GaAs andInGaAs/InP strained-layer superlattices by low pressure metalorganic vapor pliase epitaxy.Double and single crystal X-ray diffractions were measured.X-ray double crystal diffractionshwed three-and six-grades satelitte peaks observed separately for the two superlattices. |
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| Keywords: | LP-MOVPE InGaAs strained-layer superlattice |
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