| 在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应 |
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| 引用本文： | 安霞,庄惠照,杨莺歌,李怀祥,薛成山.在Si(111)上磁控溅射碳化硅薄膜的H2退火效应[J].半导体学报,2002,23(6). |
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| 作者姓名： | 安霞 庄惠照 杨莺歌 李怀祥 薛成山 |
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| 作者单位： | 1. 山东师范大学半导体研究所,济南,250014
2. 山东大学物理与微电子学院,济南,250012 |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响.用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、X光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对薄膜样品进行了结构、组分和形貌分析.结果表明:高温退火后SiC膜的晶化程度明显提高,而且在薄膜中观察到了碳纳米线的形成.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 碳化硅 薄膜 氢退火 碳纳米线 |
Effects of H2 Annealing on Silicon Carbide Films Grown on Si(111) by Magnetron Sputtering Method |
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