| 金属-铁电体-GaN结构研究 |
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| 引用本文： | 毕朝霞,张荣,李卫平,殷江,沈波,周玉刚,陈鹏,陈志忠,顾书林,施毅,刘治国,郑有炓.金属-铁电体-GaN结构研究[J].半导体学报,2002,23(1). |
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| 作者姓名： | 毕朝霞 张荣 李卫平 殷江 沈波 周玉刚 陈鹏 陈志忠 顾书林 施毅 刘治国 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金，国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 以铁电体Pb(Zr0.53Ti0.47)O3取代传统绝缘栅氧化物制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构.由于铁电体具有较强的极化电场和高介电常数,GaN基金属-铁电体-半导体(MFS)结构的电容-电压特性与其他GaN基MIS结构相比较得到了显著的提高.GaN基MFS结构中GaN激活层达到反型时的偏压小于5V,这和硅基电子器件和集成电路的工作电压一致,而且结果表明GaN层的载流子浓度比其背景载流子浓度减小了一个数量级.因此,GaN基MFS结构对于GaN基场效应晶体管的实际应用具有重要的意义.
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| 关 键 词： | GaN PZT MFS MOCVD PLD |
Metal-Ferroelectric-GaN Structures |
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