| 窄条宽MOCVD选区生长InP系材料 |
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| 引用本文： | 张瑞英,董杰,周帆,冯志伟,边静,王圩.窄条宽MOCVD选区生长InP系材料[J].半导体学报,2002,23(4). |
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| 作者姓名： | 张瑞英 董杰 周帆 冯志伟 边静 王圩 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,国家光电子工艺中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 报道了窄条宽选区生长有机金属化学气相沉积(NSAG-MOCVD)成功生长的InP系材料,并提出在NSAG-MOCVD生长研究中,引入填充因子的必要性,给出速率增强因子随填充因子变化的经验公式,计算得出速率增强因子随填充因子的变化关系.与实验结果作了比较,发现InP的速率增强因子主要取决于掩膜宽度,InGaAsP的速率增强因子不仅与掩膜宽度有关,同时也依赖于生长厚度,且这种依赖性随掩膜宽度的增加而增加.
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| 关 键 词： | 窄条宽选区生长 MOCVD InP系材料 速率增强因子 |
Growth Rate Enhancement Factor for InP-Based Materials Narrow-Stripe Selective Area Metal-Organic Chemistry Vapor Deposition |
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