| 低能电子束照射集成电路芯片时的静态电容衬度分析 |
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| 引用本文： | 冯仁剑,张海波,Katsumi URA. 低能电子束照射集成电路芯片时的静态电容衬度分析[J]. 半导体学报, 2002, 23(4) |
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| 作者姓名： | 冯仁剑 张海波 Katsumi URA |
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| 作者单位： | 1. 西安交通大学电子科学与技术系,西安,710049
2. 大阪大学,大阪市都岛区高仓町1-14-9,日本534-0011 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金 |
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| 摘 要： | 在研究低能电子束照射绝缘物时在二次电子返回特性的基础上,通过绝缘物表面照射微区和衬底之间的有效电容,获得了表面电位和二次电子信号电流在表面电荷积累过渡过程中随照射条件的变化关系,建立了电子束照射覆盖有绝缘膜的IC芯片时形成静态电容衬度的理论模型.从理论上分析了电子束照射条件和芯片内部形貌、材料参数对静态电容衬度的影响,解释了在扫描电镜实验中的最大衬度现象及其对应的最佳电子照射条件.
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| 关 键 词： | 电子照射 绝缘物带电 二次电子 电容衬度 扫描电镜 集成电路检测 |
Analysis of Static Capacitance Contrast for the IC Chip Irradiated by Low-Energy Electron Beam |
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