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光子晶体形变传感器原理
引用本文:郝志强,温廷敦.光子晶体形变传感器原理[J].科技资讯,2011(13):125-126.
作者姓名:郝志强  温廷敦
作者单位:1. 中北大学理学院物理系,太原030051;中阳一中物理组,山西中阳033400
2. 中北大学理学院物理系,太原030051;中北大学微米纳米技术研究中心,太原030051
摘    要:当光子晶体材料承受外载荷时,必然会引起形变,并改变其组成材料的空间排列方式,从而导致其光带隙性能的改变。而外载荷与光带隙性能之间的对应关系,计算表明,压力的大小与禁带起始波长、截止波长和禁带宽之间呈简单的线性对应关系,通过测量光带隙性能而制造出感知外载荷的传感器。外载荷也可以是温度载荷,对含耦合缺陷的不对称结构光子晶体的研究发现,其缺陷模频率附近的反射率接近于1,而缺陷模频率附近反射光的相移随频率迅速改变;当缺陷层为折射率的温度敏感材料时,温度的极微小变化就能使处于缺陷模频率的反射光相移发生很显著变化。根据这一原理,设计了高灵敏高分辨率的相位温度传感器。

关 键 词:光子晶体  压光  光的相移
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