| 离轴照明对ArF浸没式光刻的影响 |
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| 引用本文： | 黄国胜,李艳秋,张飞.离轴照明对ArF浸没式光刻的影响[J].微细加工技术,2005(1):43-47,57. |
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| 作者姓名： | 黄国胜 李艳秋 张飞 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院电工研究所,北京,100080;中国科学院研究生院,北京,100039
2. 中国科学院电工研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 中国科学院"引进国外杰出人才"2001年资助项目(2001年度),863IC装备专项(SSPC (03) 11 01) |
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| 摘 要： | 研究了离轴照明对65nm分辨率ArF漫没式光刻的影响。在3／4环形照明和3／4四极照明方式下,研究65nm线宽的密集线条、半密集线奈、孤立线条在较大曝光系统参数范围内的光刻性能,并对不同照明方式的光刻性能进行了比较。结果表明,在可用焦深(depth of foeus,DOF)范围内,满足光刻性能要求可以有较大范围的曝光系统参数配置。离轴照明的焦深比传统照明提高100％～150％,采用四极照明对孤立线条进行曝光,可以获得更好的光刻性能。
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| 关 键 词： | 离轴照明 ArF浸没式光刻 仿真 PROLITH |
| 文章编号： | 1003-8213(2005)01-0043-05 |
ArF Immersion Lithography for 65 nm Assisted by Off-axis Illumination |
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| HUANG Guo-sheng,LI Yan-qiu,ZHANG Fei.ArF Immersion Lithography for 65 nm Assisted by Off-axis Illumination[J].Microfabrication Technology,2005(1):43-47,57. |
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| Authors: | HUANG Guo-sheng LI Yan-qiu ZHANG Fei |
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| Institution: | HUANG Guo-sheng~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | off-axis illumination ArF immersion lithography simulation PROLITH |
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