GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究 |
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引用本文: | 柳强,巩马理,闫平,贾维溥,崔瑞祯,王东生. GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究[J]. 物理学报, 2002, 51(12) |
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作者姓名: | 柳强 巩马理 闫平 贾维溥 崔瑞祯 王东生 |
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作者单位: | 清华大学精密仪器与机械学系,北京,100084 |
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摘 要: | 利用可饱和吸收半导体GaAs作为被动调Q元件和F-P输出耦合镜,实现了半导体激光器(LD)抽运Nd:YVO4激光调Q运转,获得脉宽度为47ns,重复频率为1183kHz,平均功率为430 mW,光束质量为M2=1.13的TEM00激光基横模输出,调Q抽运阈值为1700mW.并数值求解了含有GaAs被动调Q兼输出耦合的速率方程,分析了GaAs被动调Q机理以及脉宽宽度、重复频率、平均功率随抽运速率、腔长的变化关系,理论与实验结果相一致.为多功能综合型微型调Q固体激光器提供了简单有效的方法.
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关 键 词: | 被动调Q 输出耦合 GaAs |
Study on passive Q-switched Nd∶YVO4 laser with GaAs as a passive Q-switched component and output coupler |
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Abstract: | |
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