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GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究
引用本文:柳强,巩马理,闫平,贾维溥,崔瑞祯,王东生. GaAs被动调Q兼输出耦合Nd∶YVO4激光特性研究[J]. 物理学报, 2002, 51(12)
作者姓名:柳强  巩马理  闫平  贾维溥  崔瑞祯  王东生
作者单位:清华大学精密仪器与机械学系,北京,100084
摘    要:利用可饱和吸收半导体GaAs作为被动调Q元件和F-P输出耦合镜,实现了半导体激光器(LD)抽运Nd:YVO4激光调Q运转,获得脉宽度为47ns,重复频率为1183kHz,平均功率为430 mW,光束质量为M2=1.13的TEM00激光基横模输出,调Q抽运阈值为1700mW.并数值求解了含有GaAs被动调Q兼输出耦合的速率方程,分析了GaAs被动调Q机理以及脉宽宽度、重复频率、平均功率随抽运速率、腔长的变化关系,理论与实验结果相一致.为多功能综合型微型调Q固体激光器提供了简单有效的方法.

关 键 词:被动调Q   输出耦合   GaAs

Study on passive Q-switched Nd∶YVO4 laser with GaAs as a passive Q-switched component and output coupler
Abstract:
Keywords:
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