GeSn光电薄膜及其研究进展 |
| |
引用本文: | 李倩影,崔敏,于添景,邓金祥,高红丽,原安娟.GeSn光电薄膜及其研究进展[J].半导体技术,2023(9):729-740. |
| |
作者姓名: | 李倩影 崔敏 于添景 邓金祥 高红丽 原安娟 |
| |
作者单位: | 北京工业大学理学部 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金青年基金资助项目(12204026);;北京市科技新星计划资助项目(Z211100002121079); |
| |
摘 要: | GeSn作为一种新型低成本、绿色半导体材料,具有带隙和晶格常数可调、载流子迁移率高、光吸收性能好和光响应度高等优势,在光电器件领域备受关注,在光伏和热光伏领域不断取得新的突破。对GeSn材料的基本物性、实验制备、应用研究和进展进行了详细地介绍。着重对GeSn在光伏电池和热光伏电池的研究进行了分析,并对其在光伏和热光伏领域的发展进行了展望,希望未来能为高效叠层太阳电池的研究提供新思路和新方法。
|
关 键 词: | GeSn 基本物性 光电器件 光伏电池 热光伏电池 |
|
|