| 纳米TiN修饰平面微电极阵列在神经信息双模检测中的应用 |
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| 引用本文： | 蒋庭君,刘春秀,宋轶琳,徐声伟,蔚文婧,蔡新霞.纳米TiN修饰平面微电极阵列在神经信息双模检测中的应用[J].分析化学,2014(8):1071-1076. |
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| 作者姓名： | 蒋庭君 刘春秀 宋轶琳 徐声伟 蔚文婧 蔡新霞 |
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| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所传感技术联合国家重点实验室;中国科学院大学; |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(Nos.2011CB933202,2014CB744605);国家自然科学基金项目(Nos.61125105,61271147,61101048);北京市科技计划项目(No.Z141100000214002,Z141102003414014)资助课题~~ |
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| 摘 要： | 采用氮化钛(TiN)修饰平面微电极阵列(pMEA),对其性能进行改进,开展了离体神经电生理和神经递质电化学的检测研究。采用磁控溅射法在实验室自制微电极阵列上修饰具有纳米结构的TiN材料,修饰后的微电极阻抗降低近一个数量级,背景噪声基线降至±6μV,信噪比是修饰前的1.7倍。在SD大鼠离体脑片神经电生理信号检测中,信噪比可达10∶1,能分离提取±12μV的微弱信号。神经递质多巴胺电化学信号检测下限达50 nmol/L(信噪比2∶1),浓度在0.05~100μmol/L内与电流响应的线性相关系数为0.998。实验结果表明,在微电极表面修饰纳米TiN,降低了微电极阻抗,提高了信噪比,实现了对神经信息微弱信号的检测。
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| 关 键 词： | 微电极阵列 氮化钛修饰 神经电生理 神经电化学 多巴胺 |
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