| 低压条形栅功率场效应晶体管的研制 |
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| 引用本文： | 王立新,廖太仪,陆江.低压条形栅功率场效应晶体管的研制[J].半导体学报,2006,27(z1):205-207. |
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| 作者姓名： | 王立新 廖太仪 陆江 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.还对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其工艺过程简单,实用性强.
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| 关 键 词： | 条形栅 VDMOS 功率场效应晶体管 低压 条形栅 功率场效应晶体管 MOSFET Power Gate Stripe 工艺过程 工作稳定性 开关速度 导通电阻 发现 结构比较 元胞 VDMOS 平面结构 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0205-03 |
| 修稿时间： | 2005年10月11日 |
Development of a Stripe Gate Power MOSFET |
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| Wang Lixin,Liao Taiyi,Lu Jiang.Development of a Stripe Gate Power MOSFET[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(z1):205-207. |
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| Authors: | Wang Lixin Liao Taiyi Lu Jiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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