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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
~(31)P~+注入N-Hg_(1-x)Cd_xTe
作者姓名:
陈泉森
张月琴
林和
作者单位:
中国科学院上海技术物理研究所(陈泉森,张月琴),中国科学院上海技术物理研究所(林和)
摘 要:
离子注入Hg_(1-x)Cd_xTe是制备光伏红外探测器的关键工艺。国外已采用该工艺制备出高性能的HgCdTe多元列阵和焦平面器件。但其掺杂机制及退火机制尚不清楚,一般认为所有的元素离子注入P-HgCdTe均形成辐照损伤导致的N~+电学层,~(31)81P~+注入N-HgCdTe则形成P型层,是掺杂行为。本文着重报道我所近几年来用~(31)P~+注入N-
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