| 利用电子束蒸发制备高K介质TiO2薄膜 |
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| 引用本文： | 刘成士,伍登学,赵利利,廖志君.利用电子束蒸发制备高K介质TiO2薄膜[J].四川大学学报(自然科学版),2011,48(2):356-360. |
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| 作者姓名： | 刘成士 伍登学 赵利利 廖志君 |
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| 作者单位： | 四川大学辐射物理与技术国家教育部重点实验室,成都,610064 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会“重点学术期刊专项基金”（50131010）；总装预研基金（JG2006047） |
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| 摘 要： | 利用电子束蒸发在不同的衬底温度和蒸发束流下制备了TiO2薄膜，利用椭圆偏振仪测出了不同工艺条件下薄膜的厚度和折射率；利用高频CV曲线研究了制备工艺条件对TiO2薄膜的电容特性的影响，发现衬底温度和蒸发束流严重影响TiO2薄膜的CV曲线特性；最后利用XPS（X射线能谱）和FI-IR（傅立叶红外吸收）相结合的方法对TiO2薄膜的成分进行了分析，发现在与硅交界处存在一个亚稳态的过渡层，其成分是低价态的TiOx(x<2)和SiOy(y<2).
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| 关 键 词： | TiO2薄膜 高频CV曲线 电子束蒸发 |
Preparation of high-k gate dielectric film TiO2 thin film via electron electron beam evaporation |
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| LIU Cheng-Shi,WU Deng-Xue,ZHAO Li-Li and LIAO Zhi-Jun.Preparation of high-k gate dielectric film TiO2 thin film via electron electron beam evaporation[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2011,48(2):356-360. |
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| Authors: | LIU Cheng-Shi WU Deng-Xue ZHAO Li-Li and LIAO Zhi-Jun |
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| Keywords: | TiO2 film high frequency C-V electron beam evaporation |
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