离子注入穆斯堡尔光谱学

离子注入穆斯堡尔光谱是近十多年蓬勃发展起来的一门新兴边缘学科。利用同位素分离器,库仑激发反冲和核反应等方法把放射性核或稳定同位素注入到金属、半导体和磁性介质等材料中去,然后用穆斯堡尔效应方法探测注入杂质所经受到的超精细场,化学移和反冲因子等参数,从而研究离子注入造成的辐射损伤的微观结构,测定杂质的位和它们随温度变化的特性。本文详细介绍了这方面发展的新近情况。