| 用X双晶衍射法研究InGaAs/GaAs量子阱结构 |
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| 引用本文： | 杨艳,薛晨阳,张斌珍,张文栋.用X双晶衍射法研究InGaAs/GaAs量子阱结构[J].半导体技术,2006,31(2):105-107. |
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| 作者姓名： | 杨艳 薛晨阳 张斌珍 张文栋 |
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| 作者单位： | 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原,030051 |
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| 摘 要： | 用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs/GaAs量子阱结构材料进行了测试分析.结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性.通过改变衬底温度、V/Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析.
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| 关 键 词： | 分子束外延 超晶格半导体 X射线双晶衍射 双晶衍射回摆曲线 衍射法 研究 InGaAs 量子阱结构 Study Diffraction Crystal Double 测试分析 理论 劈裂现象 干涉条纹 实验样品 质量 实验条件 衬底温度 界面完整性 光学特性 材料生长 |
| 文章编号： | 1003-353X(2006)02-0105-03 |
| 收稿时间： | 2005-07-18 |
| 修稿时间： | 2005年7月18日 |
Study of InGaAs/GaAs Quantum Wells by X-Ray Double Crystal Diffraction |
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| YANG Yan,XUE Chen-yang,ZHANG Bin-zhen,ZHANG Wen-dong.Study of InGaAs/GaAs Quantum Wells by X-Ray Double Crystal Diffraction[J].Semiconductor Technology,2006,31(2):105-107. |
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| Authors: | YANG Yan XUE Chen-yang ZHANG Bin-zhen ZHANG Wen-dong |
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| Abstract: | High quality InGaAs/GaAs quantum well (QW ) structure grown by molecular beam epitaxy (MBE) is characterized by X-ray double crystal diffraction. Interference fringes and splitting peaks in double crystal rocking curves are analyzed. The deep energy levels affecting the characteristics of materials and lasers are also discussed. The experimental results show that the use of X-ray double crystal diffraction is very important in testing the quality of quantum wells and improving the MBE technology. |
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| Keywords: | MBE superlattice X-ray double crystal diffraction |
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