| 单质直接气相生长ZnSe单晶 |
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| 引用本文： | 李文渭,李焕勇,介万奇. 单质直接气相生长ZnSe单晶[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(5): 1051-1055 |
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| 作者姓名： | 李文渭 李焕勇 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料学院,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，西北工业大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 本文直接以高纯Zn、Se单质为原料,加入少量碘单质作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶.采用XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了生长的ZnSe晶体的结构、成份以及光学特性.结果表明,生长的ZnSe单晶具有较好结晶性能,成份接近理想的化学计量比,在500～2000nm范围内透过率达到65;～70;,在1.9～2.5 eV范围内存在与Zn空位和杂质能级相关的发光带.由Zn和Se单质在输运剂I2的辅助下一步直接生长ZnSe单晶是可行的.
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| 关 键 词： | ZnSe单晶 一步生长 输运剂, |
Growth of ZnSe Single Crystals Directly from Zinc and Selenium |
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| LI Wen-wei,LI Huan-yong,JIE Wan-qi. Growth of ZnSe Single Crystals Directly from Zinc and Selenium[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(5): 1051-1055 |
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| Authors: | LI Wen-wei LI Huan-yong JIE Wan-qi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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