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基于局部优化方法的半导体激光器反源技术
引用本文:曹长庆,曾晓东,安毓英. 基于局部优化方法的半导体激光器反源技术[J]. 光子学报, 2008, 37(3): 435-438
作者姓名:曹长庆  曾晓东  安毓英
作者单位:西安电子科技大学,技术物理学院,西安,710071;西安电子科技大学,技术物理学院,西安,710071;西安电子科技大学,技术物理学院,西安,710071
摘    要:为了解半导体激光器的传播模近场分布,利用远场分布的光强和逼近信赖域的局部优化方法,提出了一种新的计算传播模近场分布的方法.模拟实验表明,只需很少几个展开函数的线性组合,就能逼近源场函数,是一种稳定性好,精度较高的方法.

关 键 词:激光技术  半导体激光器  局部优化  反源
文章编号:1004-4213(2008)03-0435-4
收稿时间:2006-05-29
修稿时间:2006-05-29

Near-field Determination of Semiconductor Lasers by Use of Local Optimization Algorithm
CAO Chang-qing,ZENG Xiao-dong,AN Yu-ying. Near-field Determination of Semiconductor Lasers by Use of Local Optimization Algorithm[J]. Acta Photonica Sinica, 2008, 37(3): 435-438
Authors:CAO Chang-qing  ZENG Xiao-dong  AN Yu-ying
Abstract:Based on the far-field data, a new approaching trust region local optimization algorithm is used to determine the near-field distribution. Numerical results demonstrate that the field distribution function of the source can be approached by a sum of some simple functions, and the method is simple and of high efficient.
Keywords:Laser techniques  Semiconductor laser  Local optimization algorithm  Inverse source
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