| 双极模式SiC JFET功率特性的研究 |
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| 引用本文： | 张林,杨霏,肖剑,谷文萍,邱彦章.双极模式SiC JFET功率特性的研究[J].物理学报,2011,60(10):107304-107304. |
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| 作者姓名： | 张林 杨霏 肖剑 谷文萍 邱彦章 |
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| 作者单位： | 1. 长安大学电子与控制工程学院,道路交通检测与装备工程技术研究中心,西安 710064;
2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路国家重点实验室,石家庄 050051 |
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| 基金项目： | 西安市科技计划(批准号: No.CXY1012)和中央高校基本科研业务费专项资金(批准号: CHD2010JC054)资助的课题. |
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| 摘 要： | 研究了常关型SiC 双极模式结型场效应晶体管(BJFET)的工作机理并建立了数值模型. 仿真结果表明SiC BJFET的双极工作模式可以有效的降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性而不增加工艺难度. 仿真结果还表明SiC BJFET的双极工作模式会延长器件的开关时间.
关键词：
碳化硅
双极型
结型场效应晶体管
模型
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| 关 键 词： | 碳化硅 双极型 结型场效应晶体管 模型 |
| 收稿时间： | 2010-12-05 |
Power characteristics of SiC bipolar-mode JFET |
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| Zhang Lin,Yang Fei,Xiao Jian,Gu Wen-Ping and Qiu Yan-Zhang.Power characteristics of SiC bipolar-mode JFET[J].Acta Physica Sinica,2011,60(10):107304-107304. |
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| Authors: | Zhang Lin Yang Fei Xiao Jian Gu Wen-Ping and Qiu Yan-Zhang |
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| Institution: | Zhang Lin1) Yang Fei2) Xiao Jian1) Gu Wen-Ping1) Qiu Yan-Zhang1) 1)(School of Electronic and Control Engineering,Road Traffic Detection and Equipment Engineering Research Center,Chang'an University,Xi'an 710064,China) 2)(The National Key Laboratory of ASIC,The 13th Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China) |
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| Abstract: | The operational mechanism of normally-off type bipolar-mode SiC junction field effect transistor (BJFET) is studied by using a two-dimensional numerical model. Compared with the unipolar-mode SiC JFET, the bipolar-mode can reduce the on-state resistor of the SiC JFET effectively and compromise between the on-state and off-state characteristic of the device. The simulation resluts also show that switching time of BJFET increases remarkably. |
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| Keywords: | silicon carbon bipolar mode JFET model |
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