| 高纯锗中浅受主的光热电离光谱 |
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| 作者姓名： | 余晨辉 张波 余丽波 李亚军 陆卫 沈学础 |
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| 作者单位： | (1)西南技术物理研究所,光电器件部,成都 610041; (2)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海 200083;西南技术物理研究所,光电器件部,成都 610041 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 10474107)和上海市基础研究重大项目(批准号：06dj14008)资助的课题. |
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| 摘 要： | 在液氦温度附近, 运用傅里叶变换光谱以及与之相连的磁光光谱系统, 对室温电阻率约为50Ω·cm的p型高纯锗样品进行了高灵敏度的光热电离光谱的研究.从实验上确定了高纯锗样品中浅杂质光热电离的最佳温度范围, 在该温度范围内测量了样品的光热电离光谱, 指出该样品中主要杂质为浅受主硼与铝. 对杂质谱线发生分裂的两种原因, 补偿性杂质导致的快速复合以及随机应力等, 进行了分析讨论.
关键词：
高纯锗
光热电离光谱
元素半导体中的杂质和缺陷能级
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| 关 键 词： | 高纯锗 光热电离光谱 元素半导体中的杂质和缺陷能级 |
| 文章编号： | 1000-3290/2008/57(02)/1097-05 |
| 收稿时间： | 2007-06-11 |
| 修稿时间： | 2007-06-26 |
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