| 高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT |
| |
| 引用本文： | 郑丽萍,袁志鹏,樊宇伟,孙海锋,狄浩成,王素琴,刘新宇,吴德馨.高功率附加效率的InGaP/GaAs功率HBT[J].半导体学报,2005,26(1):92-95. |
| |
| 作者姓名： | 郑丽萍 袁志鹏 樊宇伟 孙海锋 狄浩成 王素琴 刘新宇 吴德馨 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子学研究所 北京100029
(郑丽萍，袁志鹏，樊宇伟，孙海锋，狄浩成，王素琴，刘新宇)，中国科学院微电子学研究所 北京100029(吴德馨) |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金;中国科学院知识创新工程项目 |
| |
| 摘 要： | 采用发射极基极金属自对准工艺，成功研制出了InGaP/GaAs功率HBT．发射极尺寸为(3μm×15μm)×16的功率器件的截止频率和最高振荡频率分别为55GHz和35GHz．在片load-pull测试表明：当工作频率为1GHz时，器件工作在AB类，该功率管最大输出功率为23.5dBm，最大功率附加效率达60%，P1dB的输出功率为21dBm，对应增益为16dB，工作电压为3.5V．
|
| 关 键 词： | 功率附加效率 功率HBT |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)01-0092-04 |
| 修稿时间： | 2003年12月29日 |
High Power-Added-Efficiency InGaP/GaAs Power HBT |
| |
| Zheng Liping,Yuan Zhipeng,Fan Yuwei,Sun Haifeng,Di Haocheng,Wang Suqin,Liu Xinyu,and Wu Dexin.High Power-Added-Efficiency InGaP/GaAs Power HBT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(1):92-95. |
| |
| Authors: | Zheng Liping Yuan Zhipeng Fan Yuwei Sun Haifeng Di Haocheng Wang Suqin Liu Xinyu and Wu Dexin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | InGaP/GaAs |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
