| S钝化GaAs(100)表面的电子特性 |
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| 引用本文： | 马丽,危书义,汪建广.S钝化GaAs(100)表面的电子特性[J].原子核物理评论,2002,19(Z1):102-105. |
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| 作者姓名： | 马丽 危书义 汪建广 |
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| 作者单位： | 河南师范大学物理与信息工程学院,河南,新乡,453002 |
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| 基金项目： | 河南省自然科学基金资助项目(0111051000) |
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| 摘 要： | 用TB-LMTO方法研究单层的S原子在理想的GaAs (100) 表面的化学吸附, 对GaAs(100)表面是Ga-和As-中断两种情况分别进行考虑. 计算了S原子在不同位置的吸附能、吸附体系与清洁的GaAs(100)表面的层投影态密度, 以及电子转移情况. 结果表明, 两种情况下S原子都是桥位吸附最稳定, S-Ga相互作用比S-As稍强, S钝化GaAs(100)表面可以取得明显的钝化效果.
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| 关 键 词： | 化学吸附 钝化 超级原胞 相互作用 |
| 文章编号： | 1007-4627(2002)增刊-0102-04 |
| 修稿时间： | 2002年3月14日 |
Electronic Structure of Sulfur Passivation GaAs(100) Surface |
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