| AgGaGeS_4晶体生长及性能研究 |
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| 引用本文： | 王振友,吴海信,倪友保,毛明生,黄飞,陈林. AgGaGeS_4晶体生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2010, 39(1): 25-28 |
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| 作者姓名： | 王振友 吴海信 倪友保 毛明生 黄飞 陈林 |
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| 作者单位： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031 |
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| 摘 要： | ![]()
采用竖式布里奇曼法成功生长出大尺寸φ30 mm×80 mm的AgGaGeS_4单晶.X射线摇摆曲线测试结果表明该单晶结构完整.单晶元件在1.5～9.6 μm波段平均吸收系数约为0.25 cm~(-1),其中6.7～7.8 μm波段小于0.02 cm~(-1).制备的Ⅰ型相位匹配晶片元件(切角θ=43.5°, φ=0°,尺寸7 mm×7 mm×2.7 mm),在中心波长8.0305 μm基频光泵浦下,倍频输出了4.0153 μm红外激光,实验测得其实际相位匹配角为42.2°.利用波长2.05 μm、脉冲宽度20 ns的激光光源,测得其激光抗损伤阈值为270 MW/cm~2. 结合相图及温场分布对晶体生长过程中的关键问题进行了分析.
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| 关 键 词： | AgGaGeS_4晶体 布里奇曼法 倍频 损伤阈值, |
Growth and Properties of AgGaGeS_4 Crystals |
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| WANG Zhen-you,WU Hai-xin,NI You-bao,MAO Ming-sheng,HUANG Fei,CHEN Lin. Growth and Properties of AgGaGeS_4 Crystals[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2010, 39(1): 25-28 |
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| Authors: | WANG Zhen-you WU Hai-xin NI You-bao MAO Ming-sheng HUANG Fei CHEN Lin |
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| Affiliation: | Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics;Chinese Academy of Sciences;Hefei 230031;China |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | AgGaGeS4 crystal Bridgman method SHG damage threshold |
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