| 基于90 nm SOI CMOS工艺的24 GHz信号发生器 |
| |
| 引用本文： | 夏庆贞,李东泽,常虎东,孙兵,刘洪刚?覮.基于90 nm SOI CMOS工艺的24 GHz信号发生器[J].湖南大学学报(自然科学版),2020,47(6):96-102. |
| |
| 作者姓名： | 夏庆贞 李东泽 常虎东 孙兵 刘洪刚?覮 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心,北京100029;中国科学院大学,北京 100029,中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心,北京100029;中国科学院大学,北京 100029,中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心,北京100029,中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心,北京100029,中国科学院微电子研究所高频高压器件与电路研发中心,北京100029 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院重点实验室开放基金;国家重点研发计划;国家自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | SOI CMOS工艺具有高的截止频率和良好的温度稳定性,能够满足微波毫米波雷达收发芯片在多种应用场景下的使用要求.采用90 nm SOI CMOS工艺,设计一种A类无输出阻抗匹配网络Stacked-FET功率放大器,改善了功率放大器的饱和输出功率和可靠性.基于此功率放大器设计并实现了一款24 GHz信号发生器电路.通过电磁场仿真分析研究了Dummy金属对片上螺旋电感性能的影响.经流片加工测试,结果表明,该信号发生器电路能够输出22.2～24.7 GHz的信号,平均输出功率为8.83 dBm,峰值输出功率为10.5 dBm.在偏1 MHz和10 MHz处压控振荡器的相位噪声分别为-91 dBc/Hz和-123 dBc/Hz.芯片面积为1.4 mm×1.4 mm.
|
| 关 键 词： | SOI CMOS 功率放大器 信号发生器 |
24 GHz Signal Generator Based on 90 nm SOI CMOS Technology |
| |
| XIA Qingzhen,LI Dongze,CHANG Hudong,SUN Bing,LIU Honggang.24 GHz Signal Generator Based on 90 nm SOI CMOS Technology[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),2020,47(6):96-102. |
| |
| Authors: | XIA Qingzhen LI Dongze CHANG Hudong SUN Bing LIU Honggang |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《湖南大学学报(自然科学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《湖南大学学报(自然科学版)》下载免费的PDF全文 |
|
