GaAs中 Si~+离子注入的研究及器件制造

本文简单地介绍了在国内我们最早开展的 GaAs 中 S~+、O~+、Si~+等离子注入的研究及其在研制 GaAsMES FET 系列中的应用情况。着重分析了自1979年以来我们在半绝缘 GaAs 衬底上 Si~+离子注入形成 n 型有源层和制备 n~+区的实验结果。讨论了器件研制的初步结果。