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| Si中离子注入S杂质引起的深能级研究 | |
| 作者姓名： | 高利朋 韩培德 毛雪 范玉杰 胡少旭 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(60976046,60837001,61021003);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2012CB934200);中科院博士培养项目资助(Y072051002) |
| 摘 要： | 本文在n型硅中通过离子注入方法用500 keV的能量注入剂量为1×1014cm-2的过量S以引入杂质,并通过深能级瞬态谱方法(DLTS)对离子注入引入的深能级进行研究,得到多个S的深能级峰,计算了各深能级的位置和其俘获截面等参数。同时也发现,采用离子注入工艺在Si中引入了大量缺陷深能级。 |
| 关 键 词： | 深能级 离子注入 深能级瞬态谱 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |