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Ce掺杂对SnO2纳米带合成的影响
引用本文:罗勇,应鹏展,罗东华,余鹏.Ce掺杂对SnO2纳米带合成的影响[J].半导体技术,2005,30(10):46-48.
作者姓名:罗勇  应鹏展  罗东华  余鹏
作者单位:中国矿业大学机电工程学院,江苏,徐州,221008;中国人民解放军第五七零一厂,成都,610000
摘    要:采用柠檬酸、乙二醇、硝酸铈和四氯化锡作为原料,通过改进的聚合物前驱法成功制备了大量均匀的铈掺杂SnO2纳米带.用X衍射法和扫描电镜对产物进行了表征.研究结果表明,Ce能有效地控制SnO2纳米带的生长,并且对SnO2纳米带的形貌和振动特性有重要的影响.

关 键 词:Ce掺杂  SnO2纳米带  振动特性
文章编号:1003-353X(2005)10-0046-03
收稿时间:2004-10-18
修稿时间:2004年10月18日

Effects of Ce Doping on the Synthesis of SnO2 Nanobelts
LUO Yong,YING Peng-zhan,LUO Dong-hua,YU Peng.Effects of Ce Doping on the Synthesis of SnO2 Nanobelts[J].Semiconductor Technology,2005,30(10):46-48.
Authors:LUO Yong  YING Peng-zhan  LUO Dong-hua  YU Peng
Abstract:
Keywords:Ce doping  SnO_2 nanobelts  vibrational properties  
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