| 4 inch低位错密度InP单晶的VGF生长及性质研究 |
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| 作者姓名： | 赵有文 段满龙 卢伟 杨俊 董志远 刘刚 高永亮 杨凤云 王风华 王俊 刘京明 谢辉 王应利 卢超 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室, 低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049;中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室, 低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083 |
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| 摘 要： | 采用高压垂直温度梯度凝固法(VGF)生长了非掺、掺硫和掺铁的4 inch直径(100)InP单晶,获得的单晶的平均位错密度均小于5000 cm-2.对4 inch InP晶片上进行多点X-射线双晶衍射测试, 其(004)X-射线双晶衍射峰的半峰宽约为30弧秒且分布均匀.与液封直拉法(LEC)相比, VGF-InP单晶生长过程的温度梯度很低,导致其孪晶出现的几率显著增加.然而大量晶体生长结果表明VGF-InP晶锭上出现孪晶后,通常晶体的生长方向仍为(100)方向,这确保从生长的4 inchVGF-InP(100)晶锭上仍能获得相当数量的2~4 inch(100)晶片.由于铁在InP中的分凝系数很小,掺Fe-InP单晶VGF生长过程中容易出现组份过冷,导致多晶生长.通过控制生长温度梯度及掺铁量,可获得较高的掺铁InP单晶成晶率.对VGF-InP单晶的电学性质、位错密度及位错的分布特点、晶体完整性等进行了研究.
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| 关 键 词： | 磷化铟(InP) 垂直温度梯度凝固(VGF) 孪晶 组份过冷, |
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