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用MOCVD法在玻璃和Si(100)基片上制备TiO2薄膜
引用本文:李丽娜,谷景华,张跃,路浩天. 用MOCVD法在玻璃和Si(100)基片上制备TiO2薄膜[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(5): 902-906
作者姓名:李丽娜  谷景华  张跃  路浩天
作者单位:北京航空航天大学材料学院,北京,100083
基金项目:国家自然科学基金重点资助项目(No.50436040)
摘    要:采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,在不同的实验条件下分别在Si(100)和玻璃基片上制备TiO2薄膜.当气化室温度为140℃,基片温度为350℃时,玻璃基片上生长的薄膜XRD谱中只出现了锐钛矿相(200)晶面的衍射峰,表明此时薄膜高度取向,在Si(100)基片上生长的TiO2薄膜也有取向性.通过SEM观察高度取向的TiO2薄膜表面出现四边形的微结构.

关 键 词:MOCVD  TiO2薄膜  取向性,
文章编号:1000-985X(2005)05-0902-05
收稿时间:2005-07-14
修稿时间:2005-07-14

Growth of TiO2 Thin Films on Glass and Si(100) Substrates by AP-MOCVD
LI Li-na,GU Jing-hua,ZHANG Yao,LU Hao-tian. Growth of TiO2 Thin Films on Glass and Si(100) Substrates by AP-MOCVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(5): 902-906
Authors:LI Li-na  GU Jing-hua  ZHANG Yao  LU Hao-tian
Affiliation:School of Materials Science and Engineering, Beijing University of Aeronautics and Astronautics, Beijing 100083, China
Abstract:
Keywords:MOCVD    TiO2 thin film   orientation
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