|
|||||
|
|
| Ga掺杂La9+x/3(GeO4)6-x(GaO4)xO1.5的合成及导电性能研究 | |
| 引用本文： | 安永昕,王贵领,赵 辉,霍丽华,尹鸽平. Ga掺杂La9+x/3(GeO4)6-x(GaO4)xO1.5的合成及导电性能研究[J]. 无机化学学报, 2009, 25(4): 584-588 |
| 作者姓名： | 安永昕 王贵领 赵 辉 霍丽华 尹鸽平 |
| 作者单位： | 1. 黑龙江大学化学化工与材料学院,功能材料省高校重点实验室,哈尔滨,150080;哈尔滨工业大学化工学院应用化学系,哈尔滨,150080 2. 哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院,哈尔滨,150001 3. 黑龙江大学化学化工与材料学院,功能材料省高校重点实验室,哈尔滨,150080 4. 哈尔滨工业大学化工学院应用化学系,哈尔滨,150080 |
| 基金项目： | 教育部新世纪优秀人才支持计划，教育部科学技术研究重点项目 |
| 摘 要： | 利用固相法合成系列Ga掺杂缺陷氧锗氧基磷灰石La9+x/3(GeO4)6-x(GaO4)xO1.5(sx=0,0.5,1,1.5).X射线粉末衍射结果表明:反应物在1350℃烧结24 h即可得到磷灰石结构的纯相产物.700℃时La9.5((GeO4)4.5(GaO4)1.5O1.5的电导率达到3.162×10-3 S·cm-1,是同温度La9(GeO4)6O1.5(1.259×10-3 S·cm-1)电导率的2.5倍.氧分压测试结果表明:材料的电导率在Po2=1～105 Pa保持不变,证明材料在较宽的氧分压范围内为O2-导电. |
| 关 键 词： | 缺陷氧基磷灰石 固相反应法 合成 电化学阻抗谱 |
Synthesis and Conducting Properties of the Apatite-Type La9+x/3(GeO4)6-x(GaO4)xO1.5 |
|
| AN Yong-Xin,WANG Gui-Ling,ZHAO Hui,HUO Li-Hua and YIN Ge-Ping. Synthesis and Conducting Properties of the Apatite-Type La9+x/3(GeO4)6-x(GaO4)xO1.5[J]. Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2009, 25(4): 584-588 | |
| Authors: | AN Yong-Xin WANG Gui-Ling ZHAO Hui HUO Li-Hua YIN Ge-Ping |
| Affiliation: | College of Chemistry and Chemical Technology, Heilongjiang University, Harbin 150080; Department of Applied Chemistry ,Harbin Institution of Technology, Harbin 150080,College of Material Science and Chemical Engineering, Harbin Engineering University, Harbin 150001,College of Chemistry and Chemical Technology, Heilongjiang University, Harbin 150080,College of Chemistry and Chemical Technology, Heilongjiang University, Harbin 150080 and Department of Applied Chemistry ,Harbin Institution of Technology, Harbin 150080 |
| Abstract: | |
| Keywords: | oxygen-deficient oxyapatite solid-state reaction synthesis electrical impedance spectroscopy(EIS) |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《无机化学学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《无机化学学报》下载全文 | |