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| 用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面 | |
| 引用本文： | 谢葆珍,刘世杰,张敬平,殷士端,顾诠,戴爱平.用背散射实验技术分析Pt/GaAs接触界面[J].半导体学报,1984,5(1):81-87. |
| 作者姓名： | 谢葆珍 刘世杰 张敬平 殷士端 顾诠 戴爱平 |
| 作者单位： | 中国科学院高能物理研究所 (谢葆珍，刘世杰)，中国科学院半导体研究所 (张敬平，殷士端，顾诠)，中国科学院半导体研究所(戴爱平) |
| 摘 要： | 用背散射实验技术和俄歇电子能谱研究了250-450℃温度范围内 Pt/GaAs的界面性质.样品为在 n-GaAs上溅射 1000A|°的 Pt层.研究结果表明,在 300℃处理 20分钟后,界面产生固相反应.先是Ga原子向Pt扩散并溶于Pt形成固溶体,然后留下的As在界面处生成PtAs_2. 当退火温度高于400℃时,反应终止,生成GaPt和PtAs_2两平衡相,不再出现新相. |
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