| 在C70固体/p-GaAs结构中的甚深深能级 |
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| 引用本文： | 冉广照,陈 源,陈开茅,张晓岚,刘鸿飞.在C70固体/p-GaAs结构中的甚深深能级[J].物理学报,2004,53(10):3498-3503. |
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| 作者姓名： | 冉广照 陈 源 陈开茅 张晓岚 刘鸿飞 |
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| 作者单位： | (1)北京大学物理学院，北京 100871; (2)北京有色金属研究院，北京 100088; (3)福州大学电子科学与应用物理系，福州 350002 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：60376030)资助的课题. |
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| 摘 要： | 发展了恒温电容瞬态数据处理方法，称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICT TS方法测量分析了C70固体/p GaAs异质结的深能级，结果发现在C70固体中存在两个很深的空穴陷阱，H C1和H2，它们的能级位置分别为Ev+0856eV和 Ev+1037eV.
关键词：
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深能级
恒温电容瞬态
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| 关 键 词： | C70 深能级 恒温电容瞬态 |
| 收稿时间： | 2003-06-10 |
| 修稿时间： | 2/4/2004 12:00:00 AM |
Highly deep levels in solid C70/p-GaAs structures |
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| Ran Guang-Zhao,Chen Yuan,Chen Kai-Ｍao,Zhang Xiao-Lan,Liu Hong-Fei.Highly deep levels in solid C70/p-GaAs structures[J].Acta Physica Sinica,2004,53(10):3498-3503. |
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| Authors: | Ran Guang-Zhao Chen Yuan Chen Kai-Ｍao Zhang Xiao-Lan Liu Hong-Fei |
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| Abstract: | An acoustoelectric current is induced by a surface acoustic wave (SAW) launched along the quasi one dimensional electron channel defined in a GaAs/Al x Ga1-x As heterostructure by split gates. Using the WKB approxima tion, the acoust oelectric current is calculated when only one electron is captured in the quantu m well. We discussed the effect on acoustoeletric current caused by SAW power, S AW frequency, gate voltage and source drain bias. |
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| Keywords: | surface acoustic wave quasi one dimensional electron channel quantu m well acoustoelectric current |
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