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| 短波320×256抗辐射加固读出电路设计 | |
| 引用本文： | 梁艳,李煜,王博,白丕绩,李敏,陈虓.短波320×256抗辐射加固读出电路设计[J].红外技术,2012(12):705-708,716. |
| 作者姓名： | 梁艳 李煜 王博 白丕绩 李敏 陈虓 |
| 作者单位： | 昆明物理研究所 |
| 摘 要： | 设计了一款采用CMOS工艺的短波320×256抗辐射加固读出电路,分析了CMOS工艺抗辐射的特点,重点介绍了模拟通路、偏压产生电路和数字电路的加固设计方法,采用了双环保护结构、对NMOS管使用环形栅和冗余设计等措施。该设计电路经过流片,测试结果表明该抗辐射加固设计方法有效可行。 |
| 关 键 词： | CMOS 读出电路 抗辐射加固 |
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