| 射频磁控反应溅射生长AlN薄膜 |
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| 引用本文： | 赵彦立,钟国柱,范希武,李长华.射频磁控反应溅射生长AlN薄膜[J].发光学报,1999(2). |
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| 作者姓名： | 赵彦立 钟国柱 范希武 李长华 |
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| 作者单位： | 中国科学院激发态物理开放研究实验室，中国科学院长春物理研究所 |
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| 摘 要： | 用射频磁控反应溅射方法，在高纯Ｎ２、Ａｒ（纯度均为９９．９９９％）的气氛中，以高纯Ａｌ为靶材，成功地制备了ＡｌＮ薄膜．研究了不同气体组分、不同衬底温度对薄膜结晶性的影响．发现退火能使薄膜的结晶性得到改善，在退火后的样品中得到了室温蓝紫色阴极射线发光
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| 关 键 词： | 薄膜，AlN，阴极射线发光 |
AlUMINUM NITRIDE THIN FILM PREPARED BY RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING |
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| Zhao Yanli,Zhong Guozhu,Fan Xiwu,Li Changhua.AlUMINUM NITRIDE THIN FILM PREPARED BY RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING[J].Chinese Journal of Luminescence,1999(2). |
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| Authors: | Zhao Yanli Zhong Guozhu Fan Xiwu Li Changhua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thin film AlN cathodoluminescence |
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