热退火对SiO_2∶Er薄膜发光特性的影响 |
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作者单位: | 东北师范大学先进光电子功能材料研究中心 吉林长春130024 |
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摘 要: | 利用离子注入法制备SiO2∶Er样品,并在不同温度下进行退火处理。通过微区拉曼光谱、吸收光谱、X射线光电子能谱等手段对其进行结构表征,并进行了室温和变温的光致发光特性研究,得到了可见区和红外区的光致发光。其中,4S3/2→4I15/2的发光强度随温度的升高,先增强后减弱,呈现出反常的温度淬灭效应,此现象是由Er3 与SiO2的缺陷之间的能量传递造成的。
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关 键 词: | SiO2 缺陷 PL光谱 能量传递 |
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