首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

热退火对SiO_2∶Er薄膜发光特性的影响
作者单位:东北师范大学先进光电子功能材料研究中心 吉林长春130024
摘    要:利用离子注入法制备SiO2∶Er样品,并在不同温度下进行退火处理。通过微区拉曼光谱、吸收光谱、X射线光电子能谱等手段对其进行结构表征,并进行了室温和变温的光致发光特性研究,得到了可见区和红外区的光致发光。其中,4S3/2→4I15/2的发光强度随温度的升高,先增强后减弱,呈现出反常的温度淬灭效应,此现象是由Er3 与SiO2的缺陷之间的能量传递造成的。

关 键 词:SiO2  缺陷  PL光谱  能量传递
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号