| 一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路 |
| |
| 引用本文： | 秦尧,叶自凯,尤勇,庄春旺,明鑫,王卓,张波.一种高速高共模瞬态抗扰度电平位移电路[J].微电子学,2022,52(5):734-739. |
| |
| 作者姓名： | 秦尧 叶自凯 尤勇 庄春旺 明鑫 王卓 张波 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;华润微集成电路无锡有限公司,江苏 无锡 214135;电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054;电子科技大学 重庆微电子产业技术研究院, 重庆 401331 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61974019) |
| |
| 摘 要： | 设计了一种适用于GaN栅驱动的高速、高共模瞬态抗扰度的电平位移电路。电路受PWM信号和短脉冲协同控制,利用短脉冲控制的加速电路提升了电平转换速度。在浮动电源轨高速切换和减幅振荡过程中,电路内部对地寄生电容的充放电会导致输出逻辑错误。针对此问题,采用一种高速、低功耗的交叉控制式噪声屏蔽电路,实现了极高的共模瞬态抗扰度。采用0.35 μm高压CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在100 V电平转换情况下,该电平位移电路的平均传输延时为1.58 ns,延时失配小于100 ps,共模瞬态抗扰度达到200 V/ns。
|
| 关 键 词： | GaN栅驱动 电平位移电路 高速 高共模瞬态抗扰度 |
| 收稿时间： | 2022/9/5 0:00:00 |
A High-Speed High Common-Mode Transient Immunity Level Shifter |
| |
| QIN Yao,YE Zikai,YOU Yong,ZHUANG Chunwang,MING Xin,WANG Zhuo,ZHANG Bo.A High-Speed High Common-Mode Transient Immunity Level Shifter[J].Microelectronics,2022,52(5):734-739. |
| |
| Authors: | QIN Yao YE Zikai YOU Yong ZHUANG Chunwang MING Xin WANG Zhuo ZHANG Bo |
| |
| Institution: | State Key Lab.of Elec.Thin Films andIntegr.Dev., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;CRM ICBGWuxi Co., Ltd., Wuxi, Jiangsu 214135, P.R.China; State Key Lab.of Elec.Thin Films andIntegr.Dev., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;Chongqing Institute of Microelec.Industry Technol., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chongqing 401331, P.R.China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | GaN driver level shifter high-speed high common-mode transient immunity |
|
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《微电子学》下载免费的PDF全文 |
|
