| TiO2薄膜的MOCVD法制备及其退火条件的研究 |
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| 引用本文： | 王栋,王民,许效红,侯云,王弘,韩辉.TiO2薄膜的MOCVD法制备及其退火条件的研究[J].压电与声光,2002,24(6):476-478. |
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| 作者姓名： | 王栋 王民 许效红 侯云 王弘 韩辉 |
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| 作者单位： | 1. 山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100
2. 山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学,化学与化工学院,济南,250100 |
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| 基金项目： | 山东省自然科学基金资助项目(Y96F15097) |
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| 摘 要： | 用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)法在n-Si(100)单晶衬底上制备了TiO2薄膜;利用X-射线衍射技术研究了不同条件下退火的TiO2薄膜的结晶性;通过测量C-V曲线和BT实验分别研究了TiO2/Si系统的固定电荷密度和薄膜中的可动电荷密度。实验结果表明,只有在一定的退火温度下薄膜才有较好的结晶性。在退火温度为850°C、退火时间为30min时,可得到完全为金红石相的TiO2薄膜,其固定电荷密度的数量级为1011/cm2,可动电荷密度在(3～4)×1011/cm2,电荷极性为正。
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| 关 键 词： | TiO2薄膜 MOCVD法 制备 退火条件 金属有机化合物气相淀积 X－射线衍射 BT实验 二氧化钛 栅极绝缘介质 MOS |
| 文章编号： | 1004-2474(2002)06-0476-03 |
| 修稿时间： | 2001年12月17 |
Preparation of TiO2 Thin Films by MOCVD and Influence of Post-annealing Conditions on Their Properties |
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