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| InSb薄膜的霍尔效应测量 | |
| 引用本文： | 陈世毅.InSb薄膜的霍尔效应测量[J].物理实验,1997,17(4):192-192,F003. |
| 作者姓名： | 陈世毅 |
| 作者单位： | 杭州师范学院物理系!310012 |
| 摘 要： | 霍尔系数和电阻率随温度变化的测量是近代物理的基本实验之一．通过测量可判断半导体材料的类型，并得到材料的一些重要参数，例如载流子浓度和运尔迁移率等等．在一般的教学实验中常用单晶锗或硅作为样品．随着半导体技术的发展，用外延工艺研制的单晶薄膜材料已成为一种重要的半导体材料．我们得到了几块用这种工艺生长的N型Insb（锑化铝）薄膜材料，测量了它们的合尔系数和电阻率，并求出其载流于浓度和霍尔迁移率．可以看出这种材料的霍尔迁移率比硅和锗材料要大得多．实验中发现个别薄膜材料在低温时的电子霍尔迁移率低于常温时的值，… |
| 关 键 词： | 霍尔效应 薄膜 半导体 锑化铟 电阻率 |
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