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| 多孔硅表面形貌的观测和探讨 | |
| 引用本文： | 李刚,万歆.多孔硅表面形貌的观测和探讨[J].物理实验,1997,17(2):66-67. |
| 作者姓名： | 李刚 万歆 |
| 作者单位： | 复旦大学物理系!上海，200433，复旦大学物理系!上海，200433，复旦大学物理系!上海，200433，复旦大学物理系!上海，200433 |
| 摘 要： | 一、引言多孔硅室温下较强的光致发光现象给全硅大规模光电集成电路和硅基发光器件的开发带来曙光，但要把它变为现实仍有许多问题要解决，就以发光机理为例，仍有不同意见1].为此必须深入研究其特性，为探讨发光机理提供依据.已有作者观察到发光畴区2]，测得多孔硅成分近于二氧化硅3]，观察到快和慢的发光带4]以及证实自然氧化引入新的表面态5]等.但迄今为止测量的均为晾干后的多孔硅，而未深究在空气中贮存干燥过程中形貌的变化.本文对多孔硅在空气中贮存初期表面形貌的变化做了显微观测和探讨.还尝试测量了多孔硅／硅的界面特性.二… |
| 关 键 词： | 多孔硅 表面形貌 |
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